中國DRAM廠商長鑫存儲量產第五代平台
長鑫存儲（CXMT）宣布其第五代DRAM技術平台已進入量產，號稱能與三星、SK海力士及美光等國際大廠競爭。該平台透過四重圖案技術將關鍵間距縮至11.95納米，並推出兩款24Gb LPDDR5X芯片，儲存容量較上一代提升五成。
中國DRAM芯片製造商長鑫存儲（CXMT）周日宣布，其第五代技術平台已進入量產。這項突破有望幫助中國在全球內存芯片市場建立更強大的競爭對手，挑戰三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）和美光科技（Micron Technology）的地位。
DRAM（動態隨機存取內存）是手機、電腦及其他設備用於運行應用程式和程式的短期工作內存。長鑫存儲表示，新平台旨在以更低成本和更低功耗生產更強大的內存芯片，為智能手機等電子產品製造商提供額外的芯片供應來源。
作為中國領先的DRAM生產商，長鑫存儲總部位於合肥。該公司稱，新平台將儲存數據的微小結構更緊密地排列，使每塊芯片可容納更多內存，並從每片硅晶圓中產出更多獨立芯片。該公司已將芯片儲存數據部分的關鍵特徵間距縮小至11.95納米，即約120億分之一米，並採用「四重圖案」技術（quadruple patterning）實現這一目標。
長鑫存儲副總裁兼營銷中心負責人羅曉東在2026年世界製造業大會上表示：「我們的工藝能力現已與業界最先進的量產節點並駕齊驅。」該公司還推出了兩款基於新平台的24千兆位LPDDR5X產品。LPDDR5X是一種節能型DRAM，主要用於智能手機和其他便攜式電子設備。
長鑫存儲表示，這些產品每款儲存容量較前代同等產品提升五成，並已進入量產階段。公司提供兩種封裝格式，以適應不同的智能手機和便攜式設備設計。該平台以8千兆位芯片為基準，每片晶圓的總芯片裸片產量較第四代平台至少提高五成。
長鑫存儲稱，該平台是通過電腦模擬及與中國芯片設備製造商在關鍵生產步驟上的合作開發而成。此次進展正值北京方面尋求減少對外國半導體技術的依賴，而自2022年以來，美國出口管制已限制中國獲得某些先進芯片製造設備及相關軟件。
