國產AI記憶晶片產能緊絀 CXMT擬量產HBM3E

長鑫存儲（CXMT）計劃量產HBM3E高頻寬記憶晶片，雖然良率僅約20%至30%，遠低於南韓SK海力士的七成。此舉反映在美國出口限制下，中國AI晶片設計公司正面臨先進記憶晶片短缺，只能依賴本土供應。

中國長鑫存儲（CXMT）計劃最快在未來兩個月內，開始量產HBM3E高頻寬記憶晶片。兩名知情人士透露，這款晶片是AI處理器的關鍵元件，但當前良率僅約20%至30%，遠低於市場領導者南韓SK海力士約七成的水平。

長鑫存儲是中國最大的動態隨機存取記憶體（DRAM）製造商。知情人士表示，該公司已向多家本土AI晶片設計公司送出HBM3E樣本，並預期在短期內展開有限度的量產。由於計劃尚未公開，消息人士拒絕透露身份。

美國在2024年12月收緊對華出口若干先進HBM產品的管制，導致中國AI晶片設計公司難以透過官方渠道取得足夠的先進記憶晶片，只能轉而從非官方渠道購買，成本往往高出數倍。長鑫存儲在低良率下仍堅持量產，正是因為本土AI晶片業者急需這類晶片以提升產能。

測試結果顯示，長鑫存儲的HBM3E效能僅接近SK海力士上一代的HBM3，而非同級產品。業界分析指出，長鑫存儲在商業HBM量產上至少落後一代。SK海力士在第二季全球HBM收益中佔五成，三星及美光則分別佔33%及18%，大部分收益來自HBM3E。

長鑫存儲在全球DRAM收益中僅佔10%，排名第四。不過，美國的出口管制限制了該公司取得部分最先進晶片製造設備，令其難以縮窄與國際競爭對手的差距。三星在今年7月表示，已擴大HBM4銷售，並向主要客戶送出HBM4E樣本，進一步拉大與長鑫存儲的技術差距。