三星與SK海力士升級內地廠房應對市場競爭

三星電子及SK海力士正分別在西安及大連的廠房，升級至生產超過200層的先進NAND快閃記憶體晶片，以應對內地競爭對手長江存儲（YMTC）的迅速崛起，以及滿足人工智能市場的龐大需求。兩家公司均表示升級符合美國出口規管，但未有透露具體細節。

三星電子（Samsung Electronics）與SK海力士（SK Hynix）正升級其在中國的廠房，以生產更先進的記憶體晶片。據四名知情人士透露，此舉旨在抵擋來自內地競爭對手的壓力，並滿足人工智能（AI）市場的巨大需求。自美國於2022年實施晶片製造設備出口限制以來，這兩家南韓半導體巨頭在中國的投資策略變得相當棘手。

目前，三星及SK海力士每年均需向美國申請許可，才能在中國安裝美國製造的設備，例如蝕刻機器。美國商務部工業與安全局（Bureau of Industry and Security）在2025年曾表示，不打算向在中國的外國晶片製造商批出升級技術及擴大容量的許可。這些規管限制了兩家公司改裝廠房的能力，並導致市場份額流失予長江存儲（YMTC）。

三星在西安的廠房，約佔其全球NAND晶片產量的四成，目前生產約200層的晶片。根據內部名為「Monami」的計劃，該廠正轉為生產286層的V9 NAND晶片，目標是在今年十二月達到每月5,000片晶圓的產量，並在2027年十二月躍升至40,000片。SK海力士則計劃將其在東北地區大連的廠房，轉為生產240層或以上的NAND產品，該廠目前生產192層的產品。

兩家公司均向路透社確認正在進行升級，並與華盛頓方面保持緊密溝通，但未有透露具體的生產計劃。三星表示其升級符合美國出口規管，並強調升級是為了滿足全球客戶的需求，並非擴大產能或建造新生產設施。SK海力士則獲授權在中國生產最高240層的晶片，並可能向美國申請許可，在內地進行超過300層晶片的研究及開發。

正當三星與SK海力士在中國的投資陷入困境之際，長江存儲卻取得了重大進展。根據研究機構Omdia的數據，長江存儲在第二季度已佔據中國NAND市場38.5%的份額，超越三星；三星的市場份額則由36%下滑至33.5%，SK海力士亦由20%跌至17%。長江存儲目前主要生產160層及232層的NAND晶片，並計劃量產超過300層的產品。